吳孟啟

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研調機構IC Insight表示，今年晶片大廠的資本支出總額上看908億美元，其中以三星電子的資本支出最高。IC Insight指出，三星電子今年的年度設備投資預估達260億美元，占各晶片大廠計劃投資總額的逾20%。IC Insight表示，預料三星已為3D NAND快閃記憶體籌備140億美元，並為動態隨機存取記憶體（DRAM）和晶圓代工分別籌備70億美元和50億美元。IC Insight指出，三星前所未見的大筆投資預料將導致3D NAND快閃記憶體出現供過於求問題。研調機構IC Insight表示，今年晶片大廠的資本支出總額將上看908億美元，其中以三星電子的資本支出最高。（路透） 分享 facebook

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